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產品簡介
SIMCO思美高局部區域離子發生器,穩態直流離子發射與內在平衡電離，單晶硅或鈦發射點多種長度，包括短11英寸的AeroBars
SIMCO思美高局部區域離子發生器
Simco-Ion, 技術集團的 AeroBar 離子發生器型號 5685 專為控制迷你環境、層流罩和工作站中的靜電荷而設計。型號 5685 具有獨特的空氣動力學設計，離子化局部區域而不干擾層流。在 12-24 英寸距離的層流氣流應用中，型號 5685 使用穩態直流離子發射和 Simco-Ion 的IsoStat® 技術。IsoStat 技術保證內在平衡的離子化。不需要復雜的反饋電路來保持平衡，也無需調整。
IsoStat® 技術
穩態直流離子發射用于高離子密度
單晶硅或鈦發射點
多種長度，包括短11英寸的AeroBars
SIMCO思美高局部區域離子發生器
| 電壓 | 輸入：24伏交流電（±10%），50-60赫茲，3.5瓦 輸出：7.5千伏（典型） |
|---|---|
| 排放 | 25秒或更短時間用于在24英寸距離內，從±1000V到±100V放電，最小氣流為60英尺每分鐘 |
| 余額 | ±50V @ 24" (61.0 cm) 直接測量在兩個相對極性的發射點正下方（型號5685應至少距接地表面6英寸（15.2厘米）以獲得平衡性能） |
| 離子發射 | 穩態和等統計技術 |
| 發射器 | 鈦或單晶硅 |
| 潔凈室等級 | ISO 14644-1 3級 |
| 維度 | 2.07英寸高 x 1.16英寸寬 x 11.4 / 22.4 / 44.4 / 64.4英寸長 (52.6 x 29.5 x 29.0 / 56.9 / 112.8 / 163.6 厘米) |
| 重量 | 每英尺桿長0.56磅（每30.5厘米0.256千克） |
后端半導體處理
前端半導體制造
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