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產品簡介
SIMCO思美高超凈環 MP 離子發生器，具有廣泛可調性的調制脈沖技術 & ISO 14644-12 離子化
SIMCO思美高超凈環 MP 離子發生器
Simco-Ion, 技術集團的 AeroBar 5635 調制脈沖離子化棒專為消除半導體和其他超凈制造過程中的靜電荷而設計，要求快速放電時間、低擺動電壓和精確平衡。5635 型號利用 MP 技術，將高頻正弦波與調制脈沖 (MP) 結合，實現高離子輸出和傳輸。這項突破性技術使 AeroBar 可以在離晶圓 150 毫米以內安裝。MP 技術與超凈硅發射點和精密調整相結合，提供 ISO 14644-12 離子化（0.01 µm 顆粒或納米顆粒）和 ISO 14644 1 級（0.1 µm 顆粒）的清潔度，對于更小的技術節點至關重要。
擴展ISO 1級（10納米）顆粒清潔度
調制脈沖技術
出色的橫向均勻性
低場電壓
氣輔助能力
可選軟件，具有易于使用的界面和廣泛的可調性
報警輸出信號
SIMCO思美高超凈環 MP 離子發生器
| 電壓 | 輸入：24 VDC ±10% 電源輸入 RJ-45；0.7A（最大） 輸出：13.5 kV 峰峰值（最大），可調 |
|---|---|
| 排放 | 在無空氣輔助的情況下，15秒內±1000-100V（典型值），在發射器中心點下方24英寸處，Vp-p擺動為80 |
| 余額 | <在受控環境中于18英寸距離測量為±35伏 |
| 離子發射 | 調制脈沖 (MP) 技術 |
| 發射器 | ISO 14644-1 1類單晶硅 |
| 潔凈室等級 | ISO 14644-1 (0.1 微米顆粒) 和擴展 ISO 1 級清潔度 (10 納米顆粒或納米顆粒)，使用 45-50% 輸出電壓設置和帶有單晶硅發射器的 OpenJet 噴嘴 |
| 維度 | 3.1英寸高 x 1.3英寸寬 x 17.7 / 23.6 / 33.5 / 39.3 / 45.3 / 51.2 / 57.1 / 63.0 / 69.0 / 74.8 / 80.7 / 86.6 / 92.5英寸長 (7.8 x 3.4 x 45 / 60 / 85 / 100 / 115 / 130 / 145 / 160 / 175 / 190 / 205 / 220 / 235 厘米) |
前端半導體制造
AeroBar 5635專為半導體晶圓處理以及更小幾何尺寸下的嚴格清潔度和性能要求而設計。它提供ISO 14644-12離子化（0.01 µm顆粒或納米顆粒）和ISO 14644 Class 1（0.1 µm顆粒）的清潔度。
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