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當前位置:首頁產品中心SIMCO思美高離子發生5635M MPSIMCO思美高超凈環境MP離子發生器
SIMCO思美高超凈環境MP離子發生器

產品簡介

SIMCO思美高超凈環境MP離子發生器,具有廣泛可調性的調制脈沖技術 & ISO 14644-12 離子化,出色的橫向均勻性

產品型號:5635M MP
更新時間:2025-12-04
廠商性質:經銷商
訪問量:52
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SIMCO思美高超凈環境MP離子發生器

Simco-Ion, Technology Group的 Model 5635M AeroBar MP離子化棒專為消除半導體和其他超凈制造過程中的靜電荷而設計,在這些過程中需要快速的放電時間、低擺動電壓和精確的平衡,但不允許暴露的金屬表面。AeroBar使用MP技術,將高頻正弦波與調制脈沖(MP)結合起來,以實現高離子輸出和傳輸。這項突破性技術使AeroBar能夠在離晶圓150毫米以內安裝。MP技術結合了超凈硅發射點和精確調整,提供了ISO 14644-12離子化(0.01 µm顆粒或納米顆粒)和ISO 14644 Class 1(0.1 µm顆粒)的清潔度,對于更小的技術節點至關重要。

  • ISO 14644-12 (0.01 µm粒子) 離子化和
    ISO 14644 1級 (0.1 µm粒子) 清潔度

  • 調制脈沖技術

  • 無金屬設計 “M"

  • 出色的橫向均勻性

  • 低場電壓

  • 氣輔助能力

  • 可選軟件,具有易于使用的界面和廣泛的可調性

  • 報警輸出信號

SIMCO思美高超凈環境MP離子發生器

規格

輸入電壓輸入:24 VDC ±10% 電源輸入 RJ-45;0.7A(最大)
輸出:13.5 kV 峰峰值(最大),可調
排放在無空氣輔助的情況下,15秒內±1000-100V(典型值),在發射器中心點下方24英寸處,Vp-p擺幅為80
余額<在受控環境中于18英寸距離測量為±35V
離子發射調制脈沖 (MP) 技術
發射器ISO 14644-1 1類單晶硅
潔凈室等級ISO 14644-1 (0.1 微米顆粒) 和擴展 ISO 1 級清潔度 (10 納米顆粒或納米顆粒),使用 45-50% 輸出電壓設置和帶有單晶硅發射器的 OpenJet 噴嘴
維度3.1"H x 1.3"W x 13.8 / 17.7 / 23.6 / 33.5 / 39.3 / 45.3 / 51.2 / 57.1 / 63.0 / 69.0 / 74.8 / 80.7 / 86.6 / 92.5"L
(7.8 x 3.4 x 35 / 45 / 60 / 85 / 100 / 115 / 130 / 145 / 160 / 175 / 190 / 205 / 220 / 235 cm)


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